سبب الاختراع
تم اختراعه بسبب عيوب الصمامات المفرغة من استهلاك عالي للقدرة وانعدام الجساءة الميكانيكية وايضا كبر الحجم والوزن وقد ظهر اول تطبيق له فيالحرب العالمية الثانية
ب- انواعه:-
يمكن تقسيمه من حيث الانواع الاساسية كما يلي :-
BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR BJT او الترانزيستور ثنائي الوصلة وينقسمالي نوعين وهما:-
NPN, PNP
والنوع الاول NPN هو المستخدم في معظم التطبيقات بسبب ان حاملات الشحنة الرئيسية فيه هي الاليكترونات وهي تتميز بالسرعة في الحركة خلال مادة شبه الموصل لذلك يستخدم في تطبيقات الفتح والغلق"SWICHING" والتطبيقات الاخري التي تتطلب زمن تاخر"DELAY TIME" صغير جدا والنوع الثاني PNP تكون حاملات الشحنة فيه هي الفجوات او بمعني اخر الايونات وهي الذرة التي تفقد اليكترون ولايستخدم بكثرة حيث ان امكانية الفجوة علي الحركة تكون بسرعة اقل بكثير من الاليكترونات “الثلث تقريبا”.
ويشتركان في ان لكل منهما ثلاث اقطاب هي القاعدة “BASE” والباعث “EMITTER” والمجمع “COLLECTOR” ولكن يختلفان في التغذية حيث ان االباعث في النوع الاول يتصل بالارضي او بجهد سالب بينما في النوع الاخر يتصل بجهد موجب اذا اتصل المجمع بالارض او بالارض اذا اتصل المجمع بجهد سالب بينما الطرف الثالث او القاعدة فانه يمثل طرف الدخل ويتحدد علي ساسه منطقة عمل الترانزيستور اذا كان ACTIVE, SATURATION, CUT OFF
وطبعا هذه المناطق تحدد التطبق الذي يستخدم فيه الترانزستور وشرحها يطول وان شاء الله ساحاول شرحها لك ولكن ليس الان كي لا اطيل FIELD EFFECT TRANSISTOR FET وهو النوع الثاني من انواع الترانزستور ولكنه يختلف قليلا عن النوع الاول وينقسم الي عدة انواع منها:-
JFET or JUNCTION FILED EFFECT TRANSISTOR
ويعتمد تشغيله علي وجود وصلة واحدة من شبه الموصل متصلةبجزء اخر معدني يتحدد علي اساس المجال المطبق عليه منطقة عمل الترانزستور
MSFET or METAL SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR
وتشغيله مشابه للنوع السابق معبعض الاختلافات في التطبيق
MOSFET or metal oxide semiconductor field effect transistor
وهو اهم هذه الانواع لانه يعتمد علي وجود طبقة اكسيد بين شبه الموصل والمعدن وهي التي تجذب الاليكترونات او الفجوات من باطن شبه الموصل الي حدود طبقة الاكسيد وعليها يتحدد كمية التيار الماروايضا هذا النوع هو اساس علم تكنولوجياتصنيع الدوائر المتكاملة ذات التدريج متعاظم الصغر اوVERY LARG SCALE INTEGRATED CIRCUITS TECH VLSI
وعموما انواع الترانزستور ذات التاثير المجالي تنقسم الينوعين وهما :-
N CHANNEL FETs
والتي يكون فيها شبه الموصل من النوع p typeتحتالسطح المعدني بينما الاطراف الاخري يكون من النوع n type
P CHANNEL FETs
وهوعكس النوع السابق من حيث نوع شبه الموصل واقطابه هي:-
source:- وهو الذي تتجه اليه الالليكترونات او الفجوات عبر القناة وهو يعمل عمل الباعث في نوع ثنائي الوصلة
drain:- وهو الذي تنطلق منه الاليكترونات او الفجوات وهو يعمل عمل لب مجمع في النوع ثنائي الوصلة
gate:- وهو قطب التحكم او الدخل حيث يتحدد علي اساسه منطقة عمل الترانزستور وهو يعمل عمل القاعدة في النوع الاخروالفرق الرئيسي بين ترانزيستور التاثير المجالي وثناءي الوصلة ان الاول يعتمد علي الجهد المطبق علي البوابة gate لانتاج المجال المطلوب للتشغيل بينما النوع الاخر فيعتمد علي التيار المار في القاعدة لانتاج ظروف تيار المجمع المطلوب وذلك بافتراض صحة ظروف التشغيل واتجاه التيار التقليدي وليس الحديث وللترانزستور من النوعين تطبيقات عديدة مثل مفاتيح التحكم swiches وايضا مصدر الجهد الثابت constant current source وهذا كله يتبع التيار المستمر او direct current ولكن المكبرات سواء كانت مكبرات جهد او تيار فانها تعمل علي ac or alternating current وهو التيار المتردد وهناك الكثير والكثير من التطبيقات التي يطول شرحها ولكني اكتفي بهذا واتمني ان اكون اختصرت واتيت ببعض والمطلوب