توصيل الموسفيت على التوالى MOSFET series connection :
هل يمكن توصيل الترانزيستورات الموسفيت على التوالى لزيادة الفولت؟!! قد يبدو الأمر أسهل من الترانزيستورات الثنائية – أو أصعب حسب ما ترى!!
لو نظرنا لهذه الدائرة سنجد أمرا سهلا جدا ، فالتحكم من بوابة Gate ترانزيستور واحد فقط عكس ما كان متوقعا، نعم و لهذا فهى أسهل …
عندما تكون الترانزيستورات فى وضع القطع أى أن جهد بوابة الترانزيستور 1 = صفر Vg1=0 فإن حسب المفترض سيكون كلاهما فى حال القطع.
من المفترض (ولى تحفظ على هذا) أن مقاومة الترانزيستورين متساوية فى حال القطع ومن ثم سينتصف جهد التغذية بينهما أى بجهد تغذية 120 فولت سيكون على كل منهما 60 فولت.
الجهد على بوابة الموسفيت العلوى يجب أن لا يزيد عن 60 فولت + جهد التوصيل وهو غالبا حوالى 4 فولت (إرجع للداتا شيت للترانزيستور الذى ستستخدمه و ستجده بمسمى VGS(th)Gate Threshold Voltage وهو الحد الذى سيبدأ عنده الترانزيستور الفتح) . هذا دور المقاومتان 1،2 فمن قانون كيرشوف و نظرية الإستبدال فى الجزء الأول (الأساسيات) نجد الجهد 120 فولت سيضع
120 × م1 ÷ مجموع م1+م2 وهو = 54 فولت و يضاف إليه ما يسببه المصدر 15 فولت وهو
15 × م2 ÷ مجموع م1+م2 وهو = 8.24 فولت و المجموع
54 فولت + 8.24 فولت = 62.24 فولت أى أعلى من جهد المصدر Source بقيمة 2.24 فولت فيكون أيضا الترانزيستور 2 مغلق.
نلاحظ هنا أن قيمة الحمل Rload صغيرة جدا بالنسبة للمقاومات 1 ميجا الخ لذا تهمل.
الآن عندما تأتى النبضة (الجزء الأخضر) لفتح الموسفيت 1 سيوصل و يهبط جهد المصب Drain من 60 فولت إلى صفر أو 1 فولت حسب مقاومته الداخلية و التيار المار و طبعا الهبوط ليس فجائيا ولكنه فى زمن قصير جدا.
هذا الهبوط سيجعل مصدر Source الموسفيت 2 أيضا مساويا له لحظيا فيفتح الموسفيت العلوى بنفس المعدل جاعلا جهد مصب Drain الموسفيت 2 العلوى أيضا صفر أو 2 فولت أيضا حسب مقاومته الداخلية و التيار المار به فينخفض جهد البوابة Gate له و يصبح المصدر 15 فولت فقط هو ما يبقيه مفتوحا لأنه يسبب فولتا
15 × م2 ÷ مجموع م1+م2 وهو = 8.24 فولت وهو كافى
عند الإغلاق تعود الدائرة لسابق عهدها.
المكثفات C1,C2 هى للتسريع و كل شرطها أن R1C1=R2C2 و يجب أن لا تزيد قيمتها فتبطء الإستجابة.
قبل أن نناقش التحفظات، هل يمكن أن نزيد عدد الموسفيت؟
حسنا المرة القادمة نناقش الدائرة بثلاث ترانزيستورات إن شاء الله